Carrier concentration in a quantum well

Κλειστό Αναρτήθηκε May 6, 2015 Πληρώθηκε κατά την παράδοση
Κλειστό Πληρώθηκε κατά την παράδοση

single quantum well: AlGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs

Al concentration is 30%.

GaAs thickness is 12nm.

.

.

.

DETAILS ARE ATTACHED.

Νανοτεχνολογία Φυσική Quantum

Ταυτότητα Εργασίας: #7621752

Σχετικά με την εργασία

3 προτάσεις Απομακρυσμένη εργασία Ενεργό Jun 12, 2015

3 freelancers κάνουν προσφορές κατά μέσο όρο $87 για αυτή τη δουλειά

LXD

Hi, I am Alex, I study master degree nanoscience and photonics, I finished my bachelor studies as the top of the class student and starting phd at Leeds Univ in october. My master thesis deals with AlGaAs/GaAs multip Περισσότερα

$60 USD σε 3 μέρες
(3 Αξιολογήσεις)
2.1
angie1006

Greetings! I have read the project description and I believe I am a perfect candidate for your project. I have been working as a researcher in the field of optical communications and photonics for several years, Περισσότερα

$45 USD σε 3 μέρες
(1 Κριτική)
1.0
edgarcandales

A proposal has not yet been provided

$155 USD σε 3 μέρες
(0 Αξιολογήσεις)
0.0